LES TRANSISTORS (2nd C Physique 1)

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Froggy Jumps LES TRANSISTORS (2nd C Physique 1)Versión en línea Testez vos connaissances pointues sur les transistors. por YAKILI LMS 1 Quelle est la différence fondamentale entre BJT et TE-C? a BJT est purement résistif; TE-C est purement capacitif b BJT contrôlé par courant de base; TE-C par champ électrique de gate c BJT n’a pas de gain, TE-C a gain infini 2 Dans un BJT, quel est le rôle de l’émetteur? a Isoler le collecteur du signal b Abolir le courant de base c Fournir les porteurs majoritaires injectés dans la base 3 Quel type de courant est amplifié par un BJT? a Courant de collecteur contrôlé par le courant de base b Courant d’entrée uniquement c Courant statique sans variation 4 Quel est l’objectif principal d’un TE-C dans les circuits analogiques? a Contrôler le courant drain-source par tension gate b Stocker de l’énergie comme une batterie c Élaborer uniquement des signaux audio 5 Quelle est la relation courant-base dans un BJT en active? a Ib ≈ β × Ic b Ic ≈ β × Ib c Ic ≈ Ib / β 6 Quel est le rôle du drain dans un TE-C MOSFET? a Stocker des charges comme dans une mémoire b Collecter le courant drain qui dépend de Vgs c Fournir le signal d’entrée au gate 7 Qu’est-ce qu’un transistor à jonction bipolaire NPN en conduction active? a Base injecte des trous dans l’émetteur b Collecteur ne participe pas à la conduction c Émetteur injecte des électrons dans la base minoritaire 8 Quel est le rôle critique du métal-oxide dans TE-C? a Servir de source d’alimentation b Isoler la gate et permettre le contrôle par champ c Augmenter la conductivité intrinsèque 9 Dans un BJT, que se passe-t-il lorsque Vbe dépasse ~0,7 V? a Le courant de collecteur diminue à zéro b Le transistor s’éteint c La base devient fortement injectrice et Ic augmente 10 Quelle est l’avantage fréquent des TE-C par rapport à BJT en vitesse? a Plus de consommation statique b Moins fiable en température c Temps de réponse plus rapide et gain élevé en haute fréquence 11 Quelle caractéristique distingue un TE-C enhancement-mode? a Conduction inverse permanente b Conduction seulement lorsque Vgs dépasse le seuil c Conduction sans gate 12 Comment classera-t-on un TE-C avec canal inversé? a TE-C depletion-mode b BJT à émission inverse c TE-C enhancement-mode 13 Quel paramètre vaut pour la transconductance d’un TE-C? a gm b gd c ga 14 Dans un BJT, quel phénomène est essentiel à l’amplification? a Récupération d’énergie par résonance b Porteuse majoritaire uniquement dans l’émetteur c Injection de porteurs minoritaires à travers la base 15 Quel est le mode d’éclairage courant utilisé pour tester TE-C? a Mode charge ou coupure selon Vgs et Vds b Mode résonant permanent c Mode oscillateur uniquement 16 Quel est l’élément clé d’un TE-C qui détermine son type (n ou p)? a Couleur du LED intégré b Longueur du puits c Dopage du canal et type de substrat 17 Quel est l’impact de la température sur le gain β des BJT? a β reste constant quelle que soit la température b β ne dépend pas du transistor c β varie avec la température, généralement augmente puis diminue 18 Quel est l’objectif principal d’un TE-C dans une chaîne RF? a Charpenter le signal sans influence b Stocker l’énergie sans amplification c Atténuer et amplifier avec contrôle par gate 19 Qu’est-ce qu’un transistor logique dans les circuits CMOS? a Composant passif sans gain b BJT uniquement c TE-C utilisé comme élément de commutation à faible puissance 20 La diode de protection dans un BJT sert à? a Augmenter le gain b Éviter l’inversion de polarité sur base-emitter c Maintenir constant le Vce 21 Qu’est-ce qui caractérise le mode saturation d’un TE-C MOSFET? a Canal complètement déplété b Canal bloqué par champ électrique inverse c Canal complètement formé et résistivité minimale 22 Quelle différence principale entre MOSFET et JFET? a JFET est non réversible b MOSFET n’a pas de canal c MOSFET utilise une gate isolée; JFET a une gate déplétée 23 Comment appelle-t-on l’aire active d’un BJT? a Région émetteur-base et base-collecteur en fonctionnement b Seule région base c Aucune région active 24 Qu’est-ce que le coefficent di conduction dans un TE-C? a Réciprocité des résistances b Capacité parasite uniquement c Transconductance gm et/ou gfs 25 Quelle technique est employée pour compenser le décalage de gain en température? a Augmenter la tension d’alimentation sans logique b Compensation par résistance ou diode de référence c Ignorer le décalage thermique 26 Quel est le rôle du condensateur de couplage dans un BJT en amplification? a Dériver le courant continu uniquement b Isoler le signal continu et transmettre le signal alternatif c Stocker l’énergie permanente 27 Dans un TE-C, que fournit le canal au drain? a Énergie thermique b Conduction contrôlée par Vgs c Tension constante sans channel 28 Dans un BJT, que mesure-t-on par Ic pour une tension Vce constante? a La courbe Ic = f(Vce) (caractéristique de sortie) b La courbe Ic = f(Vbe) sans Vce c La courbe Ib = f(Vce) 29 Quel paramètre décrit l’ajustement du courant en fonction de la base dans un BJT? a α (facteur d’amplification) b Rin (résistance d’entrée) c β (gain en courant) 30 Quel élément statique caractérise une MOSFET en régime saturé? a Id indépendant de Vgs b Courbe Id = f(Vds) seulement c Courbe Id = f(Vgs) plate à Vds élevé 31 Dans un BJT, le point de fonctionnement est défini par? a Vbe seul b Ic et Vce en régime stable c Ib et Rb uniquement 32 Quelle caractéristique montre le courant en fonction de la tension d’émetteur dans un BJT? a Courbe Ib = f(Vce) b Courbe Ic = f(Vce) c Courbe Vce = f(Ic) 33 Quel effet décrit l’augmentation de Ic avec Vce, même sans Ib? a Effet de sourdine b Effet Miller c Effet Early 34 Pour un BJT, quelle est l’abréviation de la tension entre base et émetteur? a Vce b Vbe c Vbc 35 En MOSFET, quelle liaison détermine Id pour une Vgs donnée? a résistance de canal et transconductance b résistance de grille c capacitance gate-drain 36 Quel doit être le signe de la transconductance gm d’un NMOS? a négatif b positif c zéro 37 Dans un BJT, quelle condition est vraie pour le mode actif? a Vbe ~ 0,7 V et Vce > Vce(sat) b Vce < Vce(sat) c Vbe ~ 0,2 V 38 Quelle caractéristique est spécifique au transistor PNP? a Ic identique au NPN b Ic direction opposée à l’normale c Vce négatif sans Ib 39 Comment s’appelle la région statique qui limite Ic à faible Vce? a Régime actif b Régime linéaire c Régime de saturation 40 Quel paramètre décrit l’augmentation d’Id avec Vds dans MOSFET lido? a Output conductance b Capacitance de jonction c Transconductance 41 Quelle magnitude indique la sensibilité du courant de drain à Vgs? a gm (transconductance) b ro (résistance de sortie) c gfs (fonctionnement en sortie Shorts) 42 Pour un BJT en régime actif, Ib est proportionnel à? a Ib = Ic·β b Ib = Ic/β c Ib est indépendant de Ic 43 Quel est l’effet du réchauffement sur la courbe Ic-Vce d’un BJT? a Élévation de Ic à Vce constant b Déplacement de la courbe vers le bas (β diminue) c Aucune influence 44 Dans un MOSFET enhancement, comment Id varie-t-il avec Vgs? a Id diminue après threshold b Id augmente rapidement après threshold c Id est constant 45 Quelle est la condition de polarisation de base d’un BJT NPN en actif? a Vbe 0,2 V et Vbc directe b Vbe environ 0,7 V et Vbc inverse c Vbe 0 V et Vce négatif 46 Le paramètre ro d’un BJT indique? a Résistance d’entrée b Résistance de sortie c Gain en courant 47 Quelle grandeur mesure la transconductance gm pour un FET? a ΔIg/ΔVgs b ΔId/ΔVgs c ΔId/ΔVds 48 Quelle courbe décrit Id en fonction de Vgs pour un MOSFET? a Id vs Vds (courbe de sortie) b Ig vs Vgs c Id vs Vgs (courbe de transfert) 49 Dans un BJT, qu’exécute la charge collector resistor Rc? a Limiter Ib b Polarisateur de base c Définir le point de fonctionnement Ic 50 Quel est l’objectif des caractéristiques statiques? a Prévoir les pertes d’énergie b Décrire le comportement en DC du transistor c Évaluer la fréquence de commutation

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Quelle est la différence fondamentale entre BJT et TE-C?

Dans un BJT, quel est le rôle de l’émetteur?

Quel type de courant est amplifié par un BJT?

Quel est l’objectif principal d’un TE-C dans les circuits analogiques?

Quelle est la relation courant-base dans un BJT en active?

Quel est le rôle du drain dans un TE-C MOSFET?

Qu’est-ce qu’un transistor à jonction bipolaire NPN en conduction active?

Quel est le rôle critique du métal-oxide dans TE-C?

Dans un BJT, que se passe-t-il lorsque Vbe dépasse ~0,7 V?

Quelle est l’avantage fréquent des TE-C par rapport à BJT en vitesse?

Quelle caractéristique distingue un TE-C enhancement-mode?

Comment classera-t-on un TE-C avec canal inversé?

Quel paramètre vaut pour la transconductance d’un TE-C?

Dans un BJT, quel phénomène est essentiel à l’amplification?

Quel est le mode d’éclairage courant utilisé pour tester TE-C?

Quel est l’élément clé d’un TE-C qui détermine son type (n ou p)?

Quel est l’impact de la température sur le gain β des BJT?

Quel est l’objectif principal d’un TE-C dans une chaîne RF?

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La diode de protection dans un BJT sert à?

Qu’est-ce qui caractérise le mode saturation d’un TE-C MOSFET?

Quelle différence principale entre MOSFET et JFET?

Comment appelle-t-on l’aire active d’un BJT?

Qu’est-ce que le coefficent di conduction dans un TE-C?

Quelle technique est employée pour compenser le décalage de gain en température?

Quel est le rôle du condensateur de couplage dans un BJT en amplification?

Dans un TE-C, que fournit le canal au drain?

Dans un BJT, que mesure-t-on par Ic pour une tension Vce constante?

Quel paramètre décrit l’ajustement du courant en fonction de la base dans un BJT?

Quel élément statique caractérise une MOSFET en régime saturé?

Dans un BJT, le point de fonctionnement est défini par?

Quelle caractéristique montre le courant en fonction de la tension d’émetteur dans un BJT?

Quel effet décrit l’augmentation de Ic avec Vce, même sans Ib?

Pour un BJT, quelle est l’abréviation de la tension entre base et émetteur?

En MOSFET, quelle liaison détermine Id pour une Vgs donnée?

Quel doit être le signe de la transconductance gm d’un NMOS?

Dans un BJT, quelle condition est vraie pour le mode actif?

Quelle caractéristique est spécifique au transistor PNP?

Comment s’appelle la région statique qui limite Ic à faible Vce?

Quel paramètre décrit l’augmentation d’Id avec Vds dans MOSFET lido?

Quelle magnitude indique la sensibilité du courant de drain à Vgs?

Pour un BJT en régime actif, Ib est proportionnel à?

Quel est l’effet du réchauffement sur la courbe Ic-Vce d’un BJT?

Dans un MOSFET enhancement, comment Id varie-t-il avec Vgs?

Quelle est la condition de polarisation de base d’un BJT NPN en actif?

Le paramètre ro d’un BJT indique?

Quelle grandeur mesure la transconductance gm pour un FET?

Quelle courbe décrit Id en fonction de Vgs pour un MOSFET?

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