Electronica de Potencia

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Una pequeña clase teorica con informacion sobre las actividades desarrolladas en las actividades a continuaciòn. Es importante conocer algunos conceptos previos y despues realizar las actividades.

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Oscar Perdomo Charry

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Cristian Arellano

7 de Junio de 2016

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felix paez

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eddy eddy

31 de Agosto de 2016

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Electronica de PotenciaVersión en línea Una pequeña clase teorica con informacion sobre las actividades desarrolladas en las actividades a continuaciòn. Es importante conocer algunos conceptos previos y despues realizar las actividades. por Oscar Perdomo Charry 1 Electronica de Potencia La electrònica de potencia se utiliza para el tipo de aplicación de dispositivos electrónicos, para transformar y controlar voltajes y corrientes de niveles muy altos. Se diferencia así este tipo de aplicación de otras de la electrónica denominadas de baja potencia o de corrientes débiles. En este tipo de aplicación se reencuentran la electricidad y la electrónica, pues se utiliza el control que permiten los circuitos electrónicos para controlar la conducción (encendido y apagado) de semiconductores de potencia para el manejo de corrientes y voltajes en aplicaciones de potencia. De esta manera, la electrónica de potencia permite adaptar y transformar la energía eléctrica para distintos fines tales como alimentar controladamente otros equipos, transformar la energía eléctrica de continua a alterna o viceversa, y controlar la velocidad y el funcionamiento de máquinas eléctricas, etc. mediante el empleo de dispositivos electrónicos, principalmente semiconductores. El principal objetivo de electronica de potencia es aprender sobre diodos, transistores, tiristores y demas dispositivos de potencia. 2 Conceptos bàsicos 3 DIODOS 4 TRANSISTORES Existen básicamente tres tipos de transistores de potencia: – Bipolar (BJT) – Unipolar o MOSFET (Transistor de Efecto de Campo). – IGBT TRANSISTORES BJT El transistor de uniòn bipolar (de Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrònico de estado sòlido que consiste de dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades, y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrònica analògica y de potencia aunque también en algunas aplicaciones de electrònica digital. Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones: Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensión mucho mayor. TRANSISTORES MOSFET La tecnología que utilizan es diferente. El MOSFET esta hecho de metal-óxido-semiconductor, y el transistor BJT (bipolar) normalmente es basado en silicio. En principio ambos sirven para amplificar y/o switchear una señal, solo que el BJT es controlado por corriente y el MOSFET controlado por voltaje. Otras diferencias son: - Los MOSFET generan un nivel de ruido menor que los BJT. - Los MOSFET son más estables con la temperatura que los BJT. - Los MOSFET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT, pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. - La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento, a contrario de los BJT.

Electronica de PotenciaVersión en línea

Una pequeña clase teorica con informacion sobre las actividades desarrolladas en las actividades a continuaciòn. Es importante conocer algunos conceptos previos y despues realizar las actividades.

Electronica de Potencia

La electrònica de potencia se utiliza para el tipo de aplicación de dispositivos electrónicos, para transformar y controlar voltajes y corrientes de niveles muy altos. Se diferencia así este tipo de aplicación de otras de la electrónica denominadas de baja potencia o de corrientes débiles.

En este tipo de aplicación se reencuentran la electricidad y la electrónica, pues se utiliza el control que permiten los circuitos electrónicos para controlar la conducción (encendido y apagado) de semiconductores de potencia para el manejo de corrientes y voltajes en aplicaciones de potencia.

De esta manera, la electrónica de potencia permite adaptar y transformar la energía eléctrica para distintos fines tales como alimentar controladamente otros equipos, transformar la energía eléctrica de continua a alterna o viceversa, y controlar la velocidad y el funcionamiento de máquinas eléctricas, etc. mediante el empleo de dispositivos electrónicos, principalmente semiconductores.

El principal objetivo de electronica de potencia es aprender sobre diodos, transistores, tiristores y demas dispositivos de potencia.

Conceptos bàsicos

DIODOS

TRANSISTORES

Existen básicamente tres tipos de transistores de potencia:
– Bipolar (BJT)
– Unipolar o MOSFET (Transistor de Efecto de Campo).
– IGBT

TRANSISTORES BJT

El transistor de uniòn bipolar (de Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrònico de estado sòlido que consiste de dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades, y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrònica analògica y de potencia aunque también en algunas aplicaciones de electrònica digital.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.

TRANSISTORES MOSFET

La tecnología que utilizan es diferente. El MOSFET esta hecho de metal-óxido-semiconductor, y el transistor BJT (bipolar) normalmente es basado en silicio. En principio ambos sirven para amplificar y/o switchear una señal, solo que el BJT es controlado por corriente y el MOSFET controlado por voltaje. Otras diferencias son: - Los MOSFET generan un nivel de ruido menor que los BJT. - Los MOSFET son más estables con la temperatura que los BJT. - Los MOSFET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT, pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. - La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento, a contrario de los BJT.

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