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Semiconductores

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Naturaleza de la materia

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Semiconductores

Naturaleza de la materia

Alejandro Morales
1

déficit arsénico huecos silicio exceso atómica dopado exceso N germanio antimonio aislante aluminio impurezas semiconductores N silicio P huecos conductores semiconductor

Los eléctricos presentan una alta resistencia al paso de la corriente eléctrica .
Los permiten fácilmente la circulación de la corriente .
Los se encuentran en una posición intermedia .

La explicación a estas diferencias de conductividad radica en la estructura de la materia .

Se usan dos materiales en la fabricación de los dispositivos semiconductores , los cuales son y germanio .

El átomo de tiene 32 ? orbitando , mientras que el de tiene 14 ? .

Para utilizar al silicio como conductor es preciso adicionarle pequeñas cantidades de , es decir , de elementos químicos cuyo átomo posea 5 o 3 ? de valencia .
Tales impurezas reciben el nombre de y da como resultado un material con de ? libres o bien con deficiencia de ? libres ( exceso de ) .

Para producir estos ? libres se agrega átomos de o de antimonio , cuyos elementos tienen en su última órbita 5 ? de valencia .

Por lo tanto después de mezclar estas impurezas sabremos porque es un semiconductor tipo y tipo P .

Después de mezclar arsénico o al silicio o germanio se obtiene un material con numerosos ? libres ( de ? ) este material recibe el nombre de semiconductor tipo , porque reúne todas las características para operar como un semiconductor .

Por lo contrario se añade ( 3 ? ) al silicio o germanio puros , estos forman enlaces incompletos por falta de un ? , la ausencia de del ? se designa ( de ? ) este material recibe el nombre de semiconductor tipo .