semiconductores

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Nava Rivera Edwin

México

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Ghteed

11 de Febrero de 2025

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semiconductoresVersión en línea Relacionado a los temas de la unidad 3 por Nava Rivera Edwin 1 Si en un semiconductor intrínseco aumenta mucho la temperatura a Se puede romper el equilibrio entre electrones y huecos b Su resistividad aumenta c Puede llegar a comportarse como un buen conductor 2 En un semiconductor intrínseco a No existen impurezas de ningún tipo b La concentración de electrones y huecos depende de la temperatura c La concentración de electrones y huecos depende de si es tipo p o tipo n 3 ¿Cuál de los siguientes conceptos describe mejor a un semiconductor tipo n? a Cargado positivamente b Cargado negativamente c Neutro 4 El boro tiene 3 electrones de valencia. Si dopamos un semiconductor de silicio con boro, el semiconductor resultante es: a Heterogéneo b Tipo n c Tipo p 5 Un conductor de cobre puro puede endurecerse mediante: a Envejecimiento b Acritud más envejecimiento c Acritud 6 La diferencia entre la estructura electrónica de un metal y un semiconductor radica en: a La diferencia de población electrónica en la banda de conducción. b La inexistencia de una banda de energía prohibida en el metal separando las bandas de valencia y conducción. c Un mayor valor de la energía prohibida en el semiconductor que en el metal. 7 A temperaturas superiores a la crítica, un semiconductor dopado cambia: a Poco ya que la conductividad ya no es función de la temperatura. b De mecanismo conductor, tomando el intrínseco una mayor importancia. c Su comportamiento conductor a extrínseco. 8 La concentración de portadores de carga, en los semiconductores extrínsecos: a Disminuye en el rango de bajas temperaturas por actuar la agitación térmica de la red cristalina. b Disminuye a altas temperaturas al disminuir la movilidad. c Aumenta en el rango de bajas temperaturas por actuar los dopantes como promotores 9 Los parámetros que inciden en la conductividad de un semiconductor intrínseco son: a Temperatura, movilidad y diferencia energética entre bandas. b Concentración de portadores de carga libre. c Temperatura y movilidad. 10 En los semiconductores, los agentes activos de conducción son: a Los electrones de la banda de valencia. b Los huecos de la banda de valencia. c Electrones y huecos. 11 La estructura electrónica de los semiconductores está formada por: a Dos bandas de energía con algunos estados superpuestos. b Dos bandas de energía, con electrones conductores en la de conducción. c Bandas de valencia y conducción, separadas por un intervalo prohibido de energía. 12 Una conductividad eléctrica de 106 IACS corresponde a un conductor de: a Cobre puro OFHC. b Plata. c Cobre aleado. 13 El aumento de la resistividad con la temperatura de los metales y aleaciones se debe a: a El aumento de la velocidad de deriva. b El aumento del tamaño de estos átomos. c La diminución de la movilidad de los electrones. 14 En un semiconductor extrínseco de tipo p la conducción a bajas temperaturas se debe al movimiento de: a Los electrones activados térmicamente. b Los huecos. c Los electrones y huecos. 15 En los semiconductores extrínsecos, la brecha o nivel prohibido de energía, Ed, necesaria para activar térmicamente la conducción de tipo extrínseco, es: a Inferior a Eg. b Superior a Eg. c Igual a Eg. 16 En un semiconductor intrínseco la conductividad está controlada por: a La movilidad y la temperatura. b La temperatura y la concentración de dopante. c La temperatura, movilidad y la brecha o nivel prohibido, Eg. 17 ¿Cuál de los siguientes elementos permite obtener semiconductores de silicio tipo n, donadores? a Fósforo, P. b Aluminio, Al. c Boro, B. 18 En un semiconductor tipo n la conducción a alta temperatura se debe a: a Electrones donadores. b Electrones donadores y electrones activados térmicamente. c Electrones donadores, huecos y electrones activados térmicamente. 19 ¿Qué le pasa a la resistividad eléctrica de un conductor eléctrico cuando aumenta la temperatura? a Aumenta. b Disminuye. c Se mantiene constante. 20 ¿En qué supuesto tenemos los menores valores de conductividad dentro de un material? a Cuando esta envejecido. b Cuando es templado o solubilizado. c Cuando esta sobre envejecido. 21 Una aleación presenta el grano muy fino y en consecuencia tendremos: a Alta resistencia y resistividad. b Excelente conductividad. c Un grano alargado/estirado. 22 La utilización de un puente de Weastone suministra datos básicos para el: a Cálculo de la resistencia eléctrica. b Cálculo de la resistencia mecánica. c Cálculo de la resistividad eléctrica. 23 El diseño y cálculo de componentes eléctricos conductores debe controlar parámetros como: a Conductividad eléctrica del material y factor geométrico del conductor. b La intensidad de corriente. c La temperatura. 24 Los electrones se ordenan en los sólidos cristalinos metálicos en: a Orbitales atómicos de baja energía. b Bandas continuas de energía. c Bandas de estados de energía muy próximos. 25 El campo eléctrico acelera los electrones de un metal que están situados en: a La banda de valencia. b La banda de conducción. c Fuera del átomo. 26 La correlación entre resistencia eléctrica y temperatura para los metales indica: a La resistividad disminuye con la temperatura. b La conductividad aumenta con la temperatura. c La resistividad es creciente a mayores temperaturas. 27 El contenido de impurezas en los sólidos metálicos implica: a Aumento de la conductividad, por el efecto benéfico que éstas tienen sobre la estructura cristalina. b Disminución de la conductividad, al distorsionar la red cristalina e introducir defectos cristalinos. c Disminución de la conductividad si la impureza es más resistiva. 28 La adición de aleantes, solubles por solución sólida en un metal, nos permite obtener: a Aleaciones más conductoras respecto del metal puro. b Aleaciones mejoradas en resistencia mecánica y eléctrica. c Aleaciones mejoradas en características resistentes pero de menor conductividad. 29 Las aleaciones que endurecen por precipitación de segundas fases muestran: a Conductividad independiente del estado de tratamiento térmico. b Mayores conductividades y características resistentes en la etapa de temple. c Alta resistencia mecánica y buena conductividad en la etapa de maduración 30 ¿Cuál tiene mayor conductividad? a Semiconductor intrínseco de silicio a temperatura b Semiconductor de silicio dopado con 1016 átomos/cm3 de boro, a temperatura ambiente c Semiconductor de silicio dopado con 1014 átomos/cm3 de boro, a temperatura ambiente

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Relacionado a los temas de la unidad 3

por Nava Rivera Edwin

Si en un semiconductor intrínseco aumenta mucho la temperatura

Se puede romper el equilibrio entre electrones y huecos

Su resistividad aumenta

Puede llegar a comportarse como un buen conductor

En un semiconductor intrínseco

No existen impurezas de ningún tipo

La concentración de electrones y huecos depende de la temperatura

La concentración de electrones y huecos depende de si es tipo p o tipo n

¿Cuál de los siguientes conceptos describe mejor a un semiconductor tipo n?

Cargado positivamente

Cargado negativamente

Neutro

El boro tiene 3 electrones de valencia. Si dopamos un semiconductor de silicio con boro, el semiconductor resultante es:

Heterogéneo

Tipo n

Tipo p

Un conductor de cobre puro puede endurecerse mediante:

Envejecimiento

Acritud más envejecimiento

Acritud

La diferencia entre la estructura electrónica de un metal y un semiconductor radica en:

La diferencia de población electrónica en la banda de conducción.

La inexistencia de una banda de energía prohibida en el metal separando las bandas de valencia y conducción.

Un mayor valor de la energía prohibida en el semiconductor que en el metal.

A temperaturas superiores a la crítica, un semiconductor dopado cambia:

Poco ya que la conductividad ya no es función de la temperatura.

De mecanismo conductor, tomando el intrínseco una mayor importancia.

Su comportamiento conductor a extrínseco.

La concentración de portadores de carga, en los semiconductores extrínsecos:

Disminuye en el rango de bajas temperaturas por actuar la agitación térmica de la red cristalina.

Disminuye a altas temperaturas al disminuir la movilidad.

Aumenta en el rango de bajas temperaturas por actuar los dopantes como promotores

Los parámetros que inciden en la conductividad de un semiconductor intrínseco son:

Temperatura, movilidad y diferencia energética entre bandas.

Concentración de portadores de carga libre.

Temperatura y movilidad.

En los semiconductores, los agentes activos de conducción son:

Los electrones de la banda de valencia.

Los huecos de la banda de valencia.

Electrones y huecos.

La estructura electrónica de los semiconductores está formada por:

Dos bandas de energía con algunos estados superpuestos.

Dos bandas de energía, con electrones conductores en la de conducción.

Bandas de valencia y conducción, separadas por un intervalo prohibido de energía.

Una conductividad eléctrica de 106 IACS corresponde a un conductor de:

Cobre puro OFHC.

Plata.

Cobre aleado.

El aumento de la resistividad con la temperatura de los metales y aleaciones se debe a:

El aumento de la velocidad de deriva.

El aumento del tamaño de estos átomos.

La diminución de la movilidad de los electrones.

En un semiconductor extrínseco de tipo p la conducción a bajas temperaturas se debe al movimiento de:

Los electrones activados térmicamente.

Los huecos.

Los electrones y huecos.

En los semiconductores extrínsecos, la brecha o nivel prohibido de energía, Ed, necesaria para activar térmicamente la conducción de tipo extrínseco, es:

Inferior a Eg.

Superior a Eg.

Igual a Eg.

En un semiconductor intrínseco la conductividad está controlada por:

La movilidad y la temperatura.

La temperatura y la concentración de dopante.

La temperatura, movilidad y la brecha o nivel prohibido, Eg.

¿Cuál de los siguientes elementos permite obtener semiconductores de silicio tipo n, donadores?

Fósforo, P.

Aluminio, Al.

Boro, B.

En un semiconductor tipo n la conducción a alta temperatura se debe a:

Electrones donadores.

Electrones donadores y electrones activados térmicamente.

Electrones donadores, huecos y electrones activados térmicamente.

¿Qué le pasa a la resistividad eléctrica de un conductor eléctrico cuando aumenta la temperatura?

Aumenta.

Disminuye.

Se mantiene constante.

¿En qué supuesto tenemos los menores valores de conductividad dentro de un material?

Cuando esta envejecido.

Cuando es templado o solubilizado.

Cuando esta sobre envejecido.

Una aleación presenta el grano muy fino y en consecuencia tendremos:

Alta resistencia y resistividad.

Excelente conductividad.

Un grano alargado/estirado.

La utilización de un puente de Weastone suministra datos básicos para el:

Cálculo de la resistencia eléctrica.

Cálculo de la resistencia mecánica.

Cálculo de la resistividad eléctrica.

El diseño y cálculo de componentes eléctricos conductores debe controlar parámetros como:

Conductividad eléctrica del material y factor geométrico del conductor.

La intensidad de corriente.

La temperatura.

Los electrones se ordenan en los sólidos cristalinos metálicos en:

Orbitales atómicos de baja energía.

Bandas continuas de energía.

Bandas de estados de energía muy próximos.

El campo eléctrico acelera los electrones de un metal que están situados en:

La banda de valencia.

La banda de conducción.

Fuera del átomo.

La correlación entre resistencia eléctrica y temperatura para los metales indica:

La resistividad disminuye con la temperatura.

La conductividad aumenta con la temperatura.

La resistividad es creciente a mayores temperaturas.

El contenido de impurezas en los sólidos metálicos implica:

Aumento de la conductividad, por el efecto benéfico que éstas tienen sobre la estructura cristalina.

Disminución de la conductividad, al distorsionar la red cristalina e introducir defectos cristalinos.

Disminución de la conductividad si la impureza es más resistiva.

La adición de aleantes, solubles por solución sólida en un metal, nos permite obtener:

Aleaciones más conductoras respecto del metal puro.

Aleaciones mejoradas en resistencia mecánica y eléctrica.

Aleaciones mejoradas en características resistentes pero de menor conductividad.

Las aleaciones que endurecen por precipitación de segundas fases muestran:

Conductividad independiente del estado de tratamiento térmico.

Mayores conductividades y características resistentes en la etapa de temple.

Alta resistencia mecánica y buena conductividad en la etapa de maduración

¿Cuál tiene mayor conductividad?

Semiconductor intrínseco de silicio a temperatura

Semiconductor de silicio dopado con 1016 átomos/cm3 de boro, a temperatura ambiente

Semiconductor de silicio dopado con 1014 átomos/cm3 de boro, a temperatura ambiente

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